TC Wafer 應用於半導體製程，提供即時製程監控，以及各階段製程環

境溫度控制，例如：蝕刻，微影製程，CVD，PVD，測試，前後端封裝等。我們提供高度的客製

化規格生產，透過精密純熟的技術及完整的客戶支援

服務，因此能符合用戶端各種需求。

 使用溫度範圍：-100°C~1300°C

 高階精確度以及重複使用性

 高階的熱衝擊承受度

 高強度的溫接點

 提供專業認證的校正報告

 提供專業的校正服務及維修諮詢

 依照客戶的需求提供客製化服務

產 品 應 用

• 量測溫度的穩定時間和溫度的均勻性

• 校準溫度設定值的準確度

• 評估負載大小的影響

• 測量晶片的溫度分佈

• 檢查晶圓中心到邊緣的熱應力

產 品 規 格

Wafer Material Silicon, Sapphire, SiC

Wafer Size 2” to 12”, and customized dimension

Sensor Type K,R,S,T, PL II

Insulation Material PFA, Teflon, Glass Fiber, Ceramics Fiber, Quartz Micro Tube

使 用 溫 度 *R-TYPE & K-TYPE 另提供高精度芯線

Type Wire Diameter Working Temperature Accuracy

0.127mm 0 to 1200°C ±0.6 or 0.1%

*R/S

0.254mm 0 to 1300°C ±0.6 or 0.1%

0.127mm -40 to 700°C ±1.1 or 0.4%

*K

0.254mm -40 to 700°C ±1.1 or 0.4%

0.127mm -100 to 400°C ±0.5 or 0.1%T

0.254mm -100 to 400°C ±0.5 or 0.1%

PL II 0.254mm 0 to 1200°C ±1.1 or 0.4%

RTD WAFER 專為需要高精度溫度測量的製程所設計，例如半導體光刻製

程：蝕刻、顯影光阻劑處理系統等、晶圓針測以及其他類型的半導體製造設備。WAFER 上的RTD

傳感器，黏合及封裝材料，四線式電阻測量方式是關鍵的集成元件，透過研發團隊精心整合設計帶

來高量測精度和結果穩定性。

產 品 應 用

測量和記錄製程週期的晶圓溫度：裝載、升溫、穩定狀態、

冷卻和卸載。

提升對溫度的控制及㇐致性。

管理具有嚴格熱性能規格的生產流程或為 SPC 系統提供數據。

在硬體或製程研發期間優化晶圓工藝。

在最終鑑定、晶圓廠啟動以及修復或升級系統的重新鑑定過程中

對晶圓廠設備進行測試和基準測試。

產 品 規 格

Temperature Range: -80°C to 260°C

Wafer Size: 6”, 8”, 12”

Element Type: Thin Film Platinum

Element Resistance: 100Ω, 1000 Ω nominal at 0°C

Resistance Alpha Value: 0.00385

Max. Measurement Current: 200 μA

Accuracy with Calibration Correction: ±0.1°C absolute accuracy, ±0.03°C sensor to sensor accuracy

Also available in customized high accuracy ±0.05°C at 0°C

Resolution: 0.01°C

Type of Connection: 4-wire resistance measurement with common current source

return

Lead Materials: Polyimide coated copper

Cable Construction: Polyimide film flat cable section transitioning to a silicon rubber

round flex cable.

Connection: Bare wire, Miniature connector, U-Shape, or D-Sub