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合肥工业氮气检测单位

特种气体是半导体材料制造过程不可缺少的基硅性支撑材料，处于半导体产业链的 上游，被称为半导体的“源”，主要应用于薄膜、刻蚀、掺杂、气相沉积、扩散等工艺。

化学气相沉积(CVD)：是通过气体混合的化学反应，在硅片表面沉积一层固体膜的 工艺，通常包括气体传输至沉积区域、膜先驱物的形成、膜先驱物附着在硅片表面、膜 先驱物粘附、膜先驱物扩散、表面反应、副产物从表面移除、副产物从反应腔移除等八 个主要步骤。化学气相沉积常用的特种气体包括:SiH4、DCS、TCS、SiCl4、TEOS、NH3、 N2O、WF6、H2、O2。

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刻蚀：是采用化学和物理方法，有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，刻 蚀的目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形，可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。硅片的 刻蚀气体主要是氟基气体，包括 CF4、CF4/O2、SF6、C2F6/O2、NF3 等，但由于其各向同 性，选择性较差，因此改进后的刻蚀气体通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)气体。 铝和金属复合层的刻蚀通常采用氯基气体，如 CCl4、Cl2、BCl3 等。

掺杂：是将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以改变半导体电学性质，形成 pn 结、电阻、欧姆接触等。常用的三价掺杂气体有 B2H6、BBr3、BF3 等，常用的五价掺 杂气体有 PH3、POCl3、AsH3、SbCl5 等。