Clevios导电聚合物的涂覆

Clevios™分散体和配方可通过多种工艺进行涂覆或印刷，例如旋涂、狭缝涂布、喷涂、浸涂、凹版印刷、丝网印刷和喷墨打印

等。我们为某些工艺提供即用型油墨或浆料配方，同时我们的技术服务团队能够为其他需要进行产品改进的工艺提供支持。

在实验室中，旋涂是将Clevios导电聚合物沉积为一道薄涂层的常见方式。接下来将对Clevios导电聚合物的旋涂工艺进行详细介

绍:

通过旋涂工艺沉积到氧化铟锡(ITO)玻璃表面的Clevios™P导电聚合物涂层的厚度由以下几个参数确定:

旋转速度

加速度

旋转时间

旋涂器的设计

基材尺寸和表面

■基材表面预处理的质量

氧化铟锡(ITO)玻璃的预处理对于Clevios™P导电聚合物能否在该基材表面均匀分散影响极大。因此，并没有通用的规则来

确定旋转速度与涂层厚度之间的关系。为了描绘出典型的旋转-厚度示例曲线，我们将各种Clevios™P系列的导电聚合物旋涂

在涂有氧化铟锡(ITO)的玻璃基材表面。结果在旋涂机(带3”Gyrset罩的Carl Suss®RC 8)上显示。首先将尺寸为50 mmx

50 mm的涂有氧化铟锡(ITO)的玻璃基材采用湿洗法洗净，然后将其表面置于紫外线/臭氧腔室中进行活化处理，时间为15

分钟。通过Pasteur移液管将约1-2毫升的Clevios™P系列导电聚合物沉积到玻璃基材表面。进行旋涂工艺前，手动将该聚合物

分散体分散到整个基材表面。

旋涂工艺结束后，将湿膜置于加热板上进行热风烘烤。推荐的烘烤温度和烘烤时间:Clevios™PAI4083、Clevios™ P

CH8000等电子产品用导电聚合物及Clevios™HIL系列:在200℃的温度下烘烤5分钟;Clevios™PH 1000、Clevios™ HIL-

E、Clevios™F ET或Clevios™HIL 8等高导电性产品:在130C的温度下烘烤15分钟。

其他提示:

如果Clevios™ P分散体在涂覆过程中出现湿润现象，可在其中加入不超过10%(重量比)的异丙醇。此外，加入表面

活性剂也能改善润湿性，尤其是在疏水表面。

在OLED应用中，Clevios™P导电聚合物的涂层厚度通常在50-80nm之间。涂层厚度应通过实验不断进行优化，以实现

透过率和成膜质量。如有需要，Clevios™HIL系列大多数产品都可提供n数据和k数据。

所有剩余/未使用的分散体在涂覆结束后都应倒出设备，以避免干燥后的分散体造成腐蚀和进一步的颗粒污染。

基材的处理

在沉积Clevios™导电聚合物前对基材进行的预处理

干净、尤其是不含油脂的表面是确保Clevios™导电聚合物涂层均匀沉积在玻璃基材、透明氧化层(TCO)或塑料薄膜表面的先

决条件。

采用湿洗法清洁玻璃或TCO基材的步骤:

使用无绒纸巾和丙酮溶剂擦拭基材，以清除划割时粘附的玻璃颗粒

▪在60°℃的温度下，将基材置于含普通玻璃清洗剂(如3%Mucasol®，德国Kalle公司)的去离子水中，使用超声波清洗

10分钟

。使用去离子水彻底冲洗

在60°℃的温度下，将基材置于去离子水中，使用超声波清洗10分钟

使用去离子水彻底冲洗

将基材置于乙醇溶剂中，使用超声波清洗5分钟

▪在40°C的温度下，将基材置于丙酮溶剂中，使用超声波清洗5分钟

应重复以上清洗步骤直到基材表面不含任何浑浊杂质。用于清洗基板的所有溶剂都应符合PA质量。

通过等离子体、紫外线/臭氧或电晕放电工艺对表面进行活化处理，可以显著改善Clevios™导电聚合物在玻璃、TCO和PET薄膜

等各种基材表面的水滴角。

使用去离子水彻底冲洗