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RCA清洗机

来自江苏英思特半导体科技有限公司

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发布时间 2020-08-31 14:52:43 关注次数 1825

江苏英思特半导体科技有限公司

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图文介绍产品参数供应商信息

1) SPM: H2 SO4 /H2O2 ( 120 ～ 150) ℃ SPM 具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成 CO2 和 H2O。用 SPM 清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。

2) HF( DHF) : HF( DHF) ( 20 ～ 25) ℃ DHF 可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时 DHF 抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的 Al，Fe，Zn，Ni 等金属，DHF 也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用 DHF 清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。

( 3 ) APM ( SC － 1 ) : NH4OH /H2O2 /H2O ( 30 ～ 80) ℃由于 H2O2 的作用，硅片表面有一层自然氧化膜( SiO2 ) ，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的 Si 被 NH4OH 腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH 腐蚀硅片表面的同时，H2O2 又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。

( 4) HPM( SC － 2) : HCl /H2O2 /H2O( 65 ～ 85) ℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下 HPM 就能除去 Fe 和 Zn。

5) Ultrapure water( UPW) 通常叫做 DI 水，UPW 采用臭氧化的水稀释化学品以及化学清洗后晶片的冲洗液［3］。

品牌其他

型号0001

名称BOE清洗机

加工定制是

外形尺寸其他

产地其他

江苏英思特半导体科技有限公司

公司类型
经营模式贸易型-
联系人张青青
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主营业务

多晶制绒硅片清洗机，湿法刻蚀硅片清洗机，全自动单晶制绒清洗机

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