BWDT-3022A

晶体管直流参数测试仪

一、产品基本信息

（1）产品名称及用途

产品名称：BWDT-3022A 晶体管直流参数测试仪

产品用途：满足电子元器件静态直流参数测试需求

（2）产品信息及规格环境

产品信息

产品型号：BWDT-3022A

产品名称：晶体管直流参数测试仪；

物理规格

主机尺寸：深 305*宽 280*高 120(mm)

主机重量：＜5Kg

主机颜色：白色系

电气环境 主机功耗：＜75W

环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）

相对湿度：≯85%； 大气压力：86Kpa～106Kpa

防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等

电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz

工作时间：连续；

二、产品介绍

        BWDT-3022A 型晶体管直流参数测试仪是专为测试电子元器件的直流参数而设计。 可测试三极管、MOS 场效应管、J 型场效应管、整流二极管、三端肖特基整流器、三端 电压稳压器和基准器 TL431，其良好的中文界面软件，简化了用户对 BWDT-3022A 的操 作和编程。测试条件和测试参数一次快捷设定，并存入 EEPROM 中。不需附加任何其它 软件，无需操作培训,就可操作该仪器. BWDT-3022A 为三极管、MOS 场效应管、J 型场效应管、二极管等提供了 15 种最主 要参数的测试，以及参数”合格/不合格”(OK/NO)测试，用户通过机器上的按键很容易的把 测试条件输入进去，并将参数存入 EEPROM 中，便于日后方便且快速的打开调用。

三、产品特点

※ 大屏幕液晶,中文操作界面,显示直观简洁,操作方面简单

※ 大容量 EEPROM 存储器,储存量可多达 2000 种设置型号数.

※ 全部可编程的 DUT 恒流源和电压源

※ 内置继电器矩阵自动连接所需的测试电路,电压/电流源和测试回路

※ 高压测试电流分辨率 1uA,测试电压可达 1500V

※ 重复”回路”式测试解决了元件发热和间歇的问题

※ 软件自校准功能

※ 产品基于大规模微处理器,当用户选定了设置好的型号时,在手动测试时,按下测试 开关,使测试机开始执行功能检测,自动测试过程将在 BWDT-3022A 的测试座上检测 DUT 短路,开路或误接现象,如果发现,就立即停止测试。功能检测主要目的是保护被测器件DUT 不因型号选错而测坏

※ DUT 的功能检测通过 LCD 显示出被测器件/DUT 的类型(三极管,MOS 场管等),引脚 排列(P_XXX)测试方式(手动/自动)并继续进行循环测试,显示测试结果是否合格,并有声光 提示

※ 在测试整流二极管时,BWDT-3022A 能自动识别引脚功能,并自动转换矩阵开关进 行参数测试.测试后显示对应引脚功能号

※ 两种工作模式

1、自动模式：自动检测有无 DUT 放于测试座中,有则自动处于重复测试状态,无则处 于重复检测状态；

 2、手动模式：（刚开始未测试时屏幕白屏属正常现象）;当测试开关按下后自动对测 试座中的 DUT 进行检测测试,长按开关不松开则处于重复测试状态,松开开关则自动停止测试

四、测试种类及参数注释

1、BJT/三极管

(1)Vbe:Ib:表示测试三极管 VBE 压降时的输入电流.

(2)Vce:Bv:表示测试三极管耐压 BVceo 时输入的测试电压.

(3)Vce:Ir:表示测试三极管耐压 BVceo 时输入的测试电流.

(4)HEF:Ic:表示测试三极管直流放大倍数的集电极电流.

(5)HEF:Vce:表示测试三极管直流放大倍数的集电极电压

(6)Vsat:Ib:表示测试三极管饱和导通压降时输入基极的电流.

(7)Vsat:Ic:表示测试三极管饱和导通压降时输入集电极的电流.

(8)Vb:表示三极管的输入压降 VBE.

(9)VCEO:表示三极管的耐压(BVceo).

(10)HEF:表示三极管的直流放大倍数(HEF).

(11)Vsat:表示三极管的饱和导通压降(VCEsat).

(12)TestModel:Auto :表示设置为自动识别测试.

(13)TestModel:Manual :表示设置为手动测试.

2、MOSFET/场效应管

(1)Vth:ID:表示测试场效应管栅极启动电压(Vgs(th))的输入电流.

(2)Vds:Bv:表示测试场效应管耐压(BVdss)时的测试电压.

(3)Vds:Ir:表示测试场效应管耐压(BVdss)时的测试电流.

(4)Rs:Vg:表示测试场效应管内阻(Rson)时加在栅极的电压.

(5)Rs:ID:表示测试场效应管内阻(Rson)时的测试电流.

(6)Vth:表示场效应管的启动电压(Vgs(th)).

(7)Bvds:表示场效应管的耐压(BVdss).

(8)Rs:表示场效应管的导通内阻(Rdson)

(9)Igss:OG:表示测试场管输入端 G 极的电容漏电特性，该设置数据为延时时间数，利 用延时设定时间后 VGS 电压的保持量来测漏电特性。

(10)Test:T:表示测试多少次后就停止测试。可设定到 9999 次。

3、JFTE/结型场效应管

(1)Ids:Vd 表示测试结型场效应管漏极饱和电流(Idss)加在 D 极和 S 极的电压(Vds)

(2)Vds:Bv 表示测试结型场效应管耐压(BVdss)时的测试电压.

(3)Vr:Ir 表示测试结型场效应管耐压(BVdss)时的测试电流.

(4)Voff:Vd 表示测试结型场效应管阻断电压(Vgs(off))加在 D 极和 S 极的电压(Vds).

(5)Voff:Id 表示测试结型场效应管阻断电压(Vgs(off))加在 D 和 S 的电流.

(6)Is:表示结型场效应管的漏源饱和电流(Idss),在 GS=0V 的条件下测得.

(7)Bvds:结型场效应管在关断时的击穿电压.

(8)Vof:结型场效应管的阻断电压(VGS(off)).

(9)gm:结型场效应管的跨导系数,即导通内阻的倒数.

4、三端稳压 IC

(1)Vo:Vi 表示测试三端稳压时的输入测试电压.

(2)Vo:Vi 表示测试三端稳压时加在输出端的负载电流

(3)Vo:表示三端稳压的输出电压数.

5、基准 IC

(1)Vz:Iz 表示测试基准 IC 时的输入测试电流.

(2)Vz:表示基准 IC 的稳定电压数

6、整流二极,三端肖特基整流器

(1)VF:IF 表示测试三端肖特正向压降 VF 的测试电流.

(2)Vr:Bv 表示测试三端肖特反向耐压(VRRM)的测试电压.

(3)Ir:Fu 表示测试时反向漏电流参数是否要测，设大于 0 为开启该项参数。

(4)Vr:Ir 表示测试三端肖特反向耐压(VRRM)的测试电流.

(5)VF1:表示测试三端肖特正向压降 1. (5)VF2:表示测试三端肖特正向压降

                                          BW-3022A测试技术指标：

1、 整流二极管,三端肖特基:

耐压(VRR)测试指标

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-1600V	2V	+/-2%	0-2.000mA

导通正向压降(VF)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A

2 、N型三极管

输入正向压降(Vbe)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A

耐压(Bvceo)测试指标

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-1600V	2V	+/-5%	0-2.000mA

直流放大倍数(HEF)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-12000	1	+/-2%	0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce)

输出饱和导通压降(Vsat)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)

3、P型三极管

输入正向压降(Vbe)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A

耐压(Bvceo)测试指标

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-1600V	2V	+/-5%	0-2mA

直流放大倍数(HEF)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-3000	1	+/-2%	100uA(Ib) 5V(Vce)固定

输出饱和导通压降(Vsat)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-2V	2mV	+/-2%	0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)

4、N,P型MOS场效应管

输入启动电压(VGS(th))

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-20.00V	20mV	+/-2%	0-2.000mA

耐压(Bvds)测试指标

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-1500V	2V	+/-5%	0-2mA

导通内阻(Rson)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-9999MR	0.1MR	+/-5%	0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID)
10R-100R	0.1R	+/-5%	0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID)

5、三端稳压IC

输出电压(Vo)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-20.00V	20mV	+/-2%	0-20.00V(VI) 0-1.000A(IO)

6、基准IC 431

输出电压(Vo)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-20.00V	20mV	+/-2%	0-1A(Iz)

7、结型场效应管

漏极饱和电流(Idss)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-40mA	40uA	+/-2%	0V(VGS) 0-20V(VDS)
40-400mA	400uA	+/-2%	0V(VGS) 0-20V(VDS)

耐压(Bvds)测试指标

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-1600V	2V	+/-5%	0-2mA

夹断电压(Vgs(off))

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-20.00V	0.2V	+/-5%	0-20V(VDS) 0-2mA(ID)

共源正向跨导(gm)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-99mMHO	1mMHO	+/-5%	0V(VGS) 0-20V(VDS)

8、双向可控硅

导通触发电流(IGT)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-40.00mA	10uA	+/-2%	0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)

导通触发电压(VGT)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-2.000V	2mv	+/-2%	0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)

耐压(VDRM/VRRM)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-1500V	2V	+/-5%	0-2.000mA

通态压降(VTM)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A(IT)

保持电流(IH)

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0-400mA	0.2mA	+/-5%	0-400Ma(IT)