嵌入式系统系列

我们的嵌入式系统符合JEDEC内存标准，并提供各种不同外观尺寸、容量、速度，以优化嵌入式系统的表现。

4GB	1866MT/s	256Mx16	Samsung	2	2	M3S0-4GSV0CQE
4GB	1600MT/s	256Mx16	Samsung	2	2	M3S0-4GSV0CPC
4GB	1333MT/s	256Mx16	Samsung	2	2	M3S0-4GSV0CN9
4GB	1866MT/s	256Mx16	Micron	2	2	M3S0-4GMV0CQE
4GB	1600MT/s	256Mx16	Micron	2	2	M3S0-4GMV0CPC
4GB	1333MT/s	256Mx16	Micron	2	2	M3S0-4GMV0CN9
4GB	1866MT/s	256Mx8	Samsung	2	2	M3S0-4GSJDCQE
4GB	1600MT/s	256Mx8	Samsung	2	2	M3S0-4GSJDCPC
4GB	1333MT/s	256Mx8	Samsung	2	2	M3S0-4GSJDCN9
4GB	1066MT/s	256Mx8	Samsung	2	2	M3S0-4GSJDCM7
4GB	800MT/s	256Mx8	Samsung	2	2	M3S0-4GSJDCL6
4GB	1866MT/s	256Mx8	Micron	2	2	M3S0-4GMJDCQE
4GB	1600MT/s	256Mx8	Micron	2	2	M3S0-4GMJDCPC
4GB	1333MT/s	256Mx8	Micron	2	2	M3S0-4GMJDCN9
4GB	1866MT/s	512Mx8	Samsung	1	2	M3S0-4GSSCCQE
4GB	1600MT/s	512Mx8	Samsung	1	2	M3S0-4GSSCCPC
4GB	1333MT/s	512Mx8	Samsung	1	2	M3S0-4GSSCCN9
4GB	1866MT/s	512Mx8	Micron	1	2	M3S0-4GMSCCQE
4GB	1600MT/s	512Mx8	Micron	1	2	M3S0-4GMSCCPC
4GB	1333MT/s	512Mx8	Micron	1	2	M3S0-4GMSCCN9

Overview:

DDR3 SODIMM memory (small outline) is a compact industrial standards memory module that fits neatly into any bbbbbded, surveillance and automation setup. DDR3 SODIMM memory comply with all relevant JEDEC standards and are available in 1GB, 2GB, 4GB, and 8GB capacities and with data transfer rates of 1066MT/s, 1333MT/s, 1600MT/s, and 1866MT/s.

DDR3 SODIMM内存（小外框）是一种紧凑的工业标准内存模块，可巧妙地安装在任何嵌入式、监控和自动化设置中。DDR3 SODIMM内存符合所有相关JEDEC标准，具有1GB、2GB、4GB和8GB容量，数据传输速率分别为1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s和1866MT/s。
规格：

Interface	DDR3
bbbb Factor	SODIMM
Data Rate	1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
Capacity	1GB, 2GB, 4GB, 8GB
Function	Non-ECC Unbuffered Memory
Pin Number	204pin
bbbbb	64Bits
Voltage	1.5V, 1.35V
PCB Height	1.18 Inches
Operating Temperature	0°C to 85°C

品牌innodisk

型号M3S0-4GSJDLPC

内存容量4G

内存类型DDRIII

颗粒封装FBGA

质保其他

北京齐昂电子科技有限公司

公司类型私营独资企业
经营模式代理商-私营独资企业
联系人苗经理
联系手机13146512271
联系固话-
公司地址北京昌平区西三旗建材城东路新龙大厦B座1022室

主营业务

硬盘，SSD,内存条

多年来一直坚持以“向客户提供优质稳定的产品”为导向，以“客户满意”为主旨。