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全新原装 AO6800 30V/3.4A/双N沟道/SOT-23-6封装MOS管 场效应管
来自深圳市南北行电子发展有限公司
¥1.85
发布时间  2021-11-15 16:39:08 关注次数  578
深圳市南北行电子发展有限公司
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图文介绍 产品参数 供应商信息
AO6800
规格信息:
标准包装:3,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 阵列
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.4A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(值):60 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):235pF @ 15V
功率 - 值:1.15W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:6-TSOP
其它名称:785-1081-2

AO6800采用先进的沟槽技术,提供卓越的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。该装置适用于负载开关或PWM应用


品牌AOS
型号AO6800
半导体材料
封装方式塑料封装
额定整流电流80
正向电压降40
最大反向工作电压60
击穿电压50
最大反向漏电流15
外形尺寸12
功耗78
产地进口原装
发光颜色其他
深圳市南北行电子发展有限公司
  • 公司类型其他
  • 经营模式代理商-其他
  • 联系人周斯琪
  • 联系手机13714705290
  • 联系固话0755-88377872
  • 公司地址深圳市深南中路航空大厦2507室
主营业务
电子产品、五金产品、塑胶产品、电子元器件、
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