IGBT直流参数测试仪STD2002
陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
测试对象:IGBT、Mosfet、Diode
测试参数:静态参数,包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢复二极管的VF、ICES等参数
标准:《绝缘栅双极晶体管(IGBT)》(GB/T29332-2012)
该测试仪具有自动保护功能,且所有参数的设定及显示均采用液晶屏触摸屏实现,支持U盘一键导出数据
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IGBT直流参数测试仪STD2002
IGBT测试
IGBT测试项目 |
测试条件 |
测试结果 |
栅极-发射极栅 极绝缘 |
Vges: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V |
Iges: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA 精度:±3% ±0.1µA |
截止电流 |
Vces: 100-2000V,分辨力,1 V 精度:±3% ±10V |
Ices: 100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辩力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
阈值电压 |
Ice: 1-10mA, 分辨力, 1mA (可根据客户需求扩展) |
Vge(th): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V |
饱和压降 |
Ice: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A |
Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二极管压降 |
If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1 A |
Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二极管反向电流 |
Vd:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V |
Id: 100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
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IGBT直流参数测试仪STD2002
MOSFET测试
MOSFET测试项目 |
测试条件 |
测试结果 |
栅极-源极绝缘 |
Vgss: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V |
Igss: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA 精度:±3% ±0.1µA |
漏极-源极截止电流 |
Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V |
Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
栅极-源极阈值电压 |
Ids: 1-10mA, 分辨力, 1mA |
Vgs(to): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V |
漏极-源极导通电阻 |
Ids:20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A |
Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR |
二极管压降 |
If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1 A |
Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二极管反向电流 |
Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V |
Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
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IGBT直流参数测试仪STD2002
DIODE测试
DIODE测试项目 |
测试条件 |
测试结果 |
二极管压降 |
If:20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A |
Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二极管反向电流 |
Vd:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V |
Id:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
IGBT直流参数测试仪STD2002
- 公司类型
- 经营模式生产加工-
- 联系人王伟
- 联系手机13186093180
- 联系固话029-88225591
- 公司地址陕西省西安市长安区王寺街道西部生命科学园10号楼北202
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