市面上常用的DDR内存包括DDR(即DDR1)、DDR2、DDR3内存。DDR内存采用了双倍并发,即双倍速内存,同核心频率下,速度是SDRAM内存的2倍;DDR2内存采用了四倍并发,即四倍速内存,同核心频率下,速度是DDR内存的2倍,SDRAM内存的4倍;DDR3内存采用了八倍并发,即八倍速内存,同核心频率下,速度是DDR2内存的2倍,DDR内存的4倍,SDRAM内存的8倍。举例而言,如核心频率为133MHz的SDRAM内存,其实际工作频率也是133MHz;而核心频率为133MHz的DDR内存,其实际工作频率为133MHz X2=266MHz,即DDR 266MHz内存;而核心频率为133MHz的DDR2内存,其实际工作频率为133MHz X4=533MHz,即DDR2 533MHz内存;而核心频率为133MHz的DDR3内存,其实际工作频率为133MHz X8=1066MHz,即DDR3 1066MHz内存。
我们在处理DDR部分的时候都会进行一个拓扑的选择,一般DDR有T点和Fly-by两种拓扑结构,那么这两种拓扑结构的应用场景和区别有哪些呢?
T点拓扑结构:CPU出来的信号线经过一个过孔后分别向两边进行连接,分叉点一般在信号的中心位置
Fly-by拓扑结构:通常是信号从芯片出来之后先经过第一个信号点如何再经过第二个信号点依次连接下去,直至结束
站在我们布线及等长的角度下来说:一般还是建议采用Fly-by拓扑结构,T点在等长时候不太好处理,那么我们在板子空间充足的情况下尽量是考虑T点拓扑结构,这样信号线的长度也会更短,能更好的保证信号的质量,一般我们在四片及四片一下DDR的时候采用T点和Fly-by都是可以的,如果超过四片DDR建议还是采用Fly-by拓扑结构,或者采用T点DDR顶底贴进行一个处理,顶底贴的两片DDR采用T点连接,连接之后再把线拉到DDR的对称中心处进行T点连接。
站在我们的时序要求角度来说:我们要看DDR是否支持读写平衡,如果不支持读写平衡的情况下 ,那么我们就不可以采用Fly-by拓扑结构,采用T点结构的好处在于时序信号能同时到达,而采用Fly-by拓扑结构时,支持读写平衡的DDR即使在你不能同时到达的情况下,也可以再内部进行一个调整。

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