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IGBT的工作原理和作用电路分析版:
IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。
由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:
--IGBT栅极与发射极之间的电压;
--IGBT集电极与发射极之间的电压;
--流过IGBT集电极-发射极的电流;
--IGBT的结温。
如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压,流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会性损坏。
- 公司类型私营有限责任公司
- 经营模式经销商-私营有限责任公司
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- 公司地址江苏省昆山市开发区朝阳东路109号亿丰机电城北楼
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