可控硅门极特性测试仪SCRD12V

陕西天士立科技有限公司

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

可控硅门极特性测试仪SCRD12V

基础信息

测试对象：晶闸管及双向晶闸管

测试参数：触发电流IGT

触发电压VGT

维持电流IH

擎住电流IL

测试标准：《反向阻断三极晶闸管测试方法》（JB/T7626-2013）

操控方式：单片机程控，触摸屏设置，测试结果屏显，可导入U盘

产品结构：桌面式单机仪器，程控操作，自动化高等优点

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可控硅门极特性测试仪SCRD12V

性能指标

门极触发电压/门极触发电流测试单元

阳极电压:12V

阳极串联电阻:62

门极触发电压:0.30V~4.50V@0.01V@3%0.01V

门极触发电流:5mA~450mA@1mA@3%士1mA

测试频率:单次

维持电流测试单元

阳极电压:12V

预导通电流:0~20A、20~25A、30~35A、>40A

维持电流:5mA~450mA@1mA@5%士1mA

输出波形：正弦衰减波

测试频率:单次

擎柱电流测试单元

阳极电压:12V;

擎住电流:10mA~1999mA@1mA@士5%士2mA

测试频率:单次

人机界面陕西天士立科技有限公司

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可控硅门极特性测试仪SCRD12V

工作原理

可控硅门极特性测试仪SCRD12V

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