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IGBT英飞凌FF300R17KE3IGBT

来自祥盛芯城（上海）半导体有限公司

¥150.00

发布时间 2025-01-13 13:45:02 关注次数 186

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1.IGBT结构和工作原理
将IGBT结构简化为等效电路，可以看出是双极性晶体管和MOSFET组成的达林顿结构，等效为一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。元件的开通和关断由栅极和发射极之间的电压决定，当电压大于开启电压之后MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流从而使IGBT导通。
当栅极和发射极之间施加反向电压或者不施加信号后，MOSFET内部沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。

品牌英飞凌斯

型号型号齐全

类型元素半导体材料

材质硅

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密度详询

硬度详询

特性详询

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颜色黑色

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公司类型个体工商户
经营模式经销商-个体工商户
联系人王经理
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公司地址江苏省昆山市开发区亿丰装饰城

主营业务

IGBT，可控硅，晶闸管，熔断器

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