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可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
新闻:北海TD92N12KOF双向可控硅模块销售厂家
迎来新的一年。走过了30多年好时光的陶瓷行业,在“金融危机”面前都似乎安然无恙,可是近三年来的陶瓷企业遭遇的困难重重率多不少!扯横幅、静坐、堵门,不时在陶瓷厂上演,媒体报道的“”也越来越多。那么,在面对这类问题当中,2017年的陶瓷行业优势怎么样的发展呢?并购这个词,将在2017年继续发酵。前几年,各种企业间的并购逐步增多。在2016年,多家企业面临竞争压力,纷纷抱团,以企业重组或者并购的形式展开合作,增强企业竞争力。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。
结构编辑
大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸
新闻:北海TD92N12KOF双向可控硅模块销售厂家
国新办今日就2016年工业通信业发展情况举行新闻发布会。工业和信息化部部长苗圩表示,通过两年努力,制造强国建设迈出了坚实步伐。信息化与工业化融合、军民融合深度发展深入推进,“双创”和“互联网+”取得明显成效,工业和通信业保持平稳运行,结构调整持续优化,发展质量和效益不断提高。一是总体规模和综合实力进一步提升。我国稳居世界第一制造大国和网络大国地位。500余种主要工业产品中有220多种产量位居世界第一,56家制造企业进入2015年世界500强企业榜单。
可控硅
管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:第一层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年,因为它的特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T,又因为晶闸管最初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。
在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此功率,因元件开关损耗显著增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的结构
不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制极G,所以它是一种四层三端的半导体器件。
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从小范围的iot,到全球统一的IOT是物联网发展的趋势,这也带来一系列安全、隐私、自治性、互操作性、监管等方面的挑战。肇始于2008年的中国物联网在经历了一波发展热潮之后,近些年正在回归理性。然而大浪淘沙之后,留下一批扎实做产业的企业,华为、中兴、三大运营商、BAT等巨头也都开始了物联网的布局,中国物联网的前景乐观,物联网应用有望从政府到企业,再渗透到个人消费领域。从小范围的iot,到全球统一的IOT是物联网发展的趋势,这也带来一系列安全、隐私、自治性、互操作性、监管等方面的挑战。
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管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:第一层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年,因为它的特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T,又因为晶闸管最初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。
在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此功率,因元件开关损耗显著增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。
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可控硅元件的结构
不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制极G,所以它是一种四层三端的半导体器件。
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昆山德胜亿电子科技有限公司
- 公司类型私营有限责任公司
- 经营模式贸易公司-私营有限责任公司
- 联系人李小姐
- 联系手机15370773599
- 联系固话0512-36881858
- 公司地址昆山市开发区郭石路369号2号房
主营业务
IGBT,熔断器,二极管,整流桥,可控硅
昆山德胜亿电子科技有限公司是一家集分销、直销及为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。销售国内外知名品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块,熔断器;主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron,IXYS艾赛斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、POWERSEM、Vishay、DYNEX丹尼克斯、Sanken三肯、美国IR、NELL尼尔;yaskawa安川;英国西玛,西班牙CATELEC等公司生产的IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法国罗兰(FERRAZ)、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器;日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;红宝石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、美国BHC电解电容及美国CDE无感电容;ConCEPT IGBT驱动模块、光耦、变频器主控板、驱动板,操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元公司经营的电力功率模块,主要用于航天航空,机场设施,电机调速,矿山焊机,船舶舰艇,通用变频器、高压变频器、伺服驱动器、UPS、变频与传动、电动汽车、电力系统无功补偿装置UPS逆变器/UPS/EPS、风电变流器、变频空调、光伏变流、机车主牵引变流器、电梯变频器、起重专用变频器、石油钻井、感应加热、电源电镀/电解电源、有源滤波/无功补偿、机车辅助逆变器、逆变焊机;昆山德胜亿电子科技有限公司在逆变焊机、不间断电源UPS、Inverter变频器、数控伺服、电动汽车、风力太阳能发电等领域与客户战略合作,全力支持国内电力电子工业发展!
本公司长期备有现货库存,坚持以“品质为主、现货经营、薄利多销、服务至上”的经营理念向客户提供优质服务,经过长期的不懈努力,我公司树立了良好的信誉,在同行中脱颖而出,羸得广大客户的信赖和支持。
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