英飞凌继推出多模式数字化ZVS零电压反激控制器之后，再次推出了一款集成了PFC和LLC架构的控制器，型号IDP2308，简化初级侧设计并且可提供更高的转换效率和更低的待机功耗。LLC架构属于双管半桥谐振，采用谐振电感、励磁电感和谐振电容串联，故名LLC。
LLC采用零电压开关（ZVS）软开关技术，具有工作频率高、损耗小、效率高、体积小的优点，可提高充电器功率密度。其谐振操作可实现全负载范围的软开关，减小开关损耗。从而成为高频和高功率密度设计的理想选择，适合固定电压输出，EMI特性更好。
传统反激架构在开关管关闭的瞬间，变压器漏感生成的谐振尖峰需要RCD吸收电路来吸收，这会在一定程度上降低转换效率，以及开关损耗也会降低转换效率，从而不适合更大功率输出。
开关电源输出功率提高以后，对应的对电网的干扰也会增大，为了提高功率因数，PFC电路成为必须要加入的一个环节。目前主流的解决方案是采用主动式PFC来提高功率因数，主动式PFC是一个BOOST电路，将整流后的脉动直流通过电感升压，采用一颗较小容量的电解电容滤波，还可提高适配器的功率密度。
英飞凌IDP2308是一个数字多模式PFC和LLC控制器，集成了浮动高侧驱动器和启动单元。数字引擎为多模式操作提供高级算法，以支持整个负载范围内的最top效率，实现了可配置的保护功能。DSO-14 封装仅需要最少的外部组件。集成的高压启动单元和先进的突发模式可实现低待机功率。此外，集成了一个一次编程 （OTP） 单元，以提供一组广泛的可配置参数，有助于简化相位设计。
英飞凌IDP2308支持同步PFC和LLC突发模式控制，PFC驱动器可配置并支持多模式，优化效率。可配置非线性LLC VCO曲线，软启动可配置，支持交流电压感应和X电容放电，最top支持300kHz工作频率。可以充分利用GaN器件的高频优势，低Qg、低Coss和低导通阻抗，实现效率和功率密度的提高，性能明显优于LLC+传统MOS的搭配。IDP2308支持可配置的保护功能，外围元件极简。
英飞凌IDP2308内建的处理器可使用dpVision软件通过半双工UART接口进行编程，配置PFC和LLC参数，使用内置的单次编程存储器进行参数存储。
英飞凌IDP2308将PFC和LLC控制器集成到一颗芯片上，首先是节省了占板面积和元件数量，这在高功率密度适配器上显得尤为重要。芯片内部集成高压启动电路和高侧驱动器，简化外部电路，并且其PFC可与LLC同步联动，在轻载时可进一步降低待机功耗，节省能源。IDP2308内置的处理器可大范围配置PFC和LLC参数，适应设计。

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