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FUJI富士IGBT模块7MBR35SB140H-70分销原厂直销
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发布时间  2019-10-18 16:27:24 关注次数  630
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IGBT到底有多重要?

 在一台纯电动车中,IGBT约占电机驱动系统成本的一半,而电机驱动系统占整车成本的15-20%,也就是说IGBT占整车成本的7-10%,是除电池之外成本第二高的元件,也决定了整车的能源效率。而且除电驱动系统外,整车包括高压充电机、空调系统等多个电气组件均需使用到IGBT。

如果还不能理解IGBT有多重要,那么我们就来举例说明,一台特斯拉Model X使用132个IGBT管,由英飞凌公司提供。其中后电机为96个,前电机为36个,每个单管的价格大约为4-5美元,合计大约需650美元。

世界上有多少地方在生产IGBT?比亚迪生产了IGBT有什么特殊意义么?

 有的朋友可能会问了,比亚迪掌握了这个核心技术为什么值得编辑单独拿出来说呢?下面的这些内容您可能会找到答案。

2017年全球电动车销量大约500万辆,共消耗了大约18亿美元的IGBT管,平均每辆车大约为450美元。目前我国每年使用的IGBT,90%依赖进口。国际上主要的生产商是“西门子、英飞凌、仙童、三菱、富士、东芝”这些老牌大厂。而其中的“高压大功率IGBT”更是电动车动力系统核心中的核心,国内目前能够量产高压大功率IGBT芯片并用于车辆生产的企业,只有两家:中国中车(高铁)和比亚迪!

能有这样的突破也离不开我国电动车的发展,在政策驱动下我国新能源汽车及充电桩市场进入爆发期,中国IGBT产业在国家政策及重大项目的推动及市场牵引下加快了国产化的进程,目前已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整产业链。国内厂商不仅实现了技术突破,而且成功把国产化IGBT应用在新能源汽车中。而这里说的国内厂商,最重要的一家就是比亚迪。

所以,您知道为什么我会把比亚迪单拿出来说了么?比亚迪和国内的一些厂商成功的打破了这一领域的垄断,实现了国产化。

比亚迪的IGBT好不好?达到了什么程度?

既然说比亚迪的IGBT技术打破了国外品牌的垄断,那么国产的零件质量如何?会不会仅仅是拥有了技术,而质量和水平还不能满足我们的需求?

如果说2009年的时候我们IGBT技术刚刚开始着手研发,那么经过十几年的技术积累,我们现有的IGBT技术已经相当成熟和先进了,2017年比亚迪使用的IGBT2.5代产品在性能上和同类竞品差距已经在逐渐缩小,而即将要量产的比亚迪IGBT4.0产品已经超越了国外同类产品,达到了世界先进水平。

凭什么说比亚迪的IGBT4.0产品达到了世界先进水平?

首先,技术指标方面,IGBT4.0在芯片损耗、模块温度循环能力、电流输出能力等关键指标上,比亚迪IGBT4.0产品达到全球领先水平。

芯片损耗:比亚迪 IGBT4.0产品的综合损耗相比当前市场主流产品降低了约20%,使得整车电耗降低。以全新一代唐为例,在其他条件不变的情况下,采用比亚迪 IGBT4.0较采用当前市场主流的IGBT,百公里电耗少约3%。

温度循环能力:IGBT4.0产品模块的温度循环寿命可以做到当前市场主流产品的10倍以上。

电流输出能力:搭载IGBT4.0的V-315系列模块在同等工况下较当前市场主流产品的电流输出能力提升15%,支持整车具有更强的加速能力。

而为了达到上面说的这些超越,比亚迪也对技术工艺进行了升级,例如将晶圆厚度减薄到120um、生产环境的洁净度要求达到最高等级的一级、晶圆的制造用水标准需达到超纯水等,这些都是极高的工艺要求。

FUJI富士IGBT模块2MBI1000VXB-170E-54分销原厂直销 

除了工艺上的苛刻要求,比亚迪还在材料上做出了创新,这是比亚迪走的一步好棋——第三代半导体材料SiC碳化硅)。

而我们也从官方得到了相关的信息,比亚迪投巨资布局第三代半导体材料SiC(碳化硅), 目前已大规模用于车载电源, 2019年底将推出中国首辆搭载SiC电控的电动车,预计2023年采用SiC基半导体全面替代硅基半导体(如硅基IGBT),引领下一代电动车芯片变革。

 IGBT作为能源变换与传输的核心器件,电力电子装置“CPU”,在全球能源领域大变革浪潮中的地位越来越重要。但目前国内IGBT市场基本由英飞凌、富士、三菱等国外公司垄断。从2017年下半年IGBT缺货的苗头就已经显现出来了,IGBT各大品牌的供应商纷纷向采购商和客户发出通知并要求其做好需求计划,以保证后期供货。目前富士IGBT模块正在量产当中,符合欧盟ROhs指令,适用于汽车电子。

     FUJI富士IGBT模块2MBI1000VXB-170E-54分销原厂直销 , 北京一祥聚辉科贸有限公司为富士功率半导体器件在中国区域的正规分销商,负责富士功率半导体在中国市场的推广和销售工作,可以提供强大的技术支持,常备大量现货,欢迎选购!

 



品牌FUJI
型号7MBR35SB140H-70
类型绝缘栅型场效应管
沟道类型N型沟道
导电方式增强型
适合频率中频
封装外形WAFER P-DIT
材质IGBT绝缘栅比极
加工定制
产地其他
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