二极管正向浪涌电流测试系统ST-IFSM_X

陕西天士立科技有限公司

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

二极管正向浪涌电流测试系统ST-IFSM_X

基础信息

1. 可用于各类二极管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌电流（IFSM）试验，包括三极管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管

2. 电压3KV（可扩展4.5KV/6KV/8KV/10KV等）电流1KA（可扩展2KA/5KA/8KA/10KA等）

3. 浪涌电流（IFSM）：200~10KA、分辨率1A，精度±5％

4. 反向电压（VRRM）：200～3000V、分辨率10V，精度±5%

5. 浪涌电流（IFSM）底宽：8.3ms/60HZ、10ms/50HZ，可切换

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二极管正向浪涌电流测试系统ST-IFSM_X

产品简介

1. 二极管元件在实际使用中，除了能长期通过额定通态平均电流外，还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不致损坏，以便适应在各种应用中的要求。二极管浪涌过载电流如果超过其允许范围，轻者引起元件性能变坏（如伏安特性、通态峰值电压的变化），重者造成烧毁穿通而失去反向阻断能力。通过浪涌过载电流测试合格的器件，可以大大提高其在使用中的可靠性。

2. 该产品依据JB/T7624-94《整流二极管测试方法》和JB/T7626-94《反向阻断三极管测试方法》的有关规定而设计的。该 设备线路设计简洁精练，采用自动控制，完成对电容自动充电、自动稳压，自动检测浪涌电流的实际波形和峰值，并存储保持。浪涌电流峰值由数字表显示，浪涌电流波形由波形接口输出供外接示波器观察分析。该设备具有技术先进、性能可靠、体积小、重量轻、操作简单、测试重复性好、维修调试方便等特点，是电力半导体器件生产厂家必备的试验检测设备。

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二极管正向浪涌电流测试系统ST-IFSM_X

参数指标

1.电流源发波，待测样品两极电压不应超过器件在该电流下的导通电压

2.us级方波浪涌电流（IFSM）脉宽及测试范围

10us±10%，30~3000A±3%

100us±10%，30~500A±3%

1ms±10%，30~2000A±3%

10ms±10%，30~500A±3%

3.浪涌电流波形：近似方波，从10%至90%及90%下降到10%在整个 脉宽底宽20%以内,脉宽内最大电流持续期间电流下降幅度5%以内

4.测试频率：单次/重复，当前重复浪涌需求1000次，支持固定时间间 隔发波及检测浪涌前后Vf恢复程度发波

5.浪涌电流重复间隔时间（可设定）；间隔时间＞2S,≤0.5Hz

6.反向阻断漏电IRRM：检测范围不小于100uA~10mA，分辨率≤100uA，误差范围不大于±3%

7.保存导通压降和导通电流。测试前后保存小电流（≤5A）测试器件静态导 通压降Vf，分辨率≤0.01V，误差≤±3%（可只用保存反馈Vf,以评估器件是否损坏或用于后续工程评估测试后节温）。可测试时间点距离浪涌结束时间越短越好

8.可以满足外接温控单元进行高温浪涌测试

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